屹唐股份(688729)成立于2015年，是一家專(zhuān)注于集成電路前道核心裝備的高端制造企業(yè)。公司致力于干法去膠(DryStrip)、干法刻蝕和等離子體表面處理及快速熱處理(RTP)等關(guān)鍵設(shè)備的研發(fā)與制造，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于先進(jìn)晶圓制造工藝，客戶(hù)涵蓋中芯國(guó)際、臺(tái)積電、三星、英特爾等全球領(lǐng)先的集成電路制造企業(yè)。近年來(lái)，公司業(yè)績(jī)穩(wěn)健增長(zhǎng)，2020年至2024年?duì)I收和凈利潤(rùn)C(jī)AGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)分別為18.97%和116.18%。2025年前三季度，公司營(yíng)收和凈利潤(rùn)分別為37.96億元和5.17億元，同比增速分別為14.01%和22.73%。

　　全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)已逐漸走出低谷，需求回暖帶動(dòng)行業(yè)重回上行通道。作為集成電路產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體設(shè)備的重要性隨著器件尺寸縮小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜度提升而進(jìn)一步增強(qiáng)。2023年，受消費(fèi)電子需求疲軟及晶圓廠(chǎng)資本開(kāi)支放緩影響，市場(chǎng)短期承壓，出貨金額降至1062億美元，同比下降1.3%。隨著庫(kù)存去化結(jié)束及下游需求回暖，2024年市場(chǎng)規(guī)模迅速回升至1171億美元，同比增長(zhǎng)10%，創(chuàng)歷史新高。展望未來(lái)，伴隨晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)和先進(jìn)制程投資的持續(xù)推進(jìn)，預(yù)計(jì)2025年市場(chǎng)規(guī)模將增至1255億美元，2026年進(jìn)一步達(dá)到1381億美元，行業(yè)進(jìn)入新一輪成長(zhǎng)周期。

　　中國(guó)大陸市場(chǎng)份額連續(xù)多年穩(wěn)居全球第一，已成為全球半導(dǎo)體設(shè)備增量核心。受益于本土晶圓廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)及國(guó)產(chǎn)設(shè)備滲透率提升，中國(guó)大陸市場(chǎng)份額自2020年的26.3%躍升至2024年的42.3%，提升逾16個(gè)百分點(diǎn)。2024年銷(xiāo)售額約為495.5億美元，顯著領(lǐng)先中國(guó)臺(tái)灣、北美、韓國(guó)等地區(qū)。未來(lái)，隨著先進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)加碼和國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加快，中國(guó)大陸市場(chǎng)份額仍具提升空間，有望繼續(xù)成為推動(dòng)全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。

　　屹唐股份是中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，在干法去膠設(shè)備和快速熱處理設(shè)備領(lǐng)域，全球市場(chǎng)占有率穩(wěn)居第二，干法刻蝕設(shè)備位列全球前十，技術(shù)實(shí)力達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。截至2024年末，公司產(chǎn)品全球累計(jì)裝機(jī)數(shù)量已超過(guò)4800臺(tái)，服務(wù)的客戶(hù)全面覆蓋全球前十大芯片制造商和國(guó)內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先芯片制造商。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2023年，公司干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備分別憑借34.60%、13.05%的市場(chǎng)占有率，均位居全球第二，干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)占有率排名全球第九。

　　公司在干法去膠設(shè)備技術(shù)積累深厚，應(yīng)用廣泛。公司干法去膠產(chǎn)品歷經(jīng)三十余年研發(fā)與應(yīng)用沉淀，核心產(chǎn)品具備工藝窗口寬、顆粒污染小、成本結(jié)構(gòu)優(yōu)等顯著特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于晶圓制造前道去膠工藝環(huán)節(jié)，適配DRAM、3DNAND、邏輯芯片等多類(lèi)晶圓平臺(tái)，并已形成從常規(guī)去膠、選擇性去膠到先進(jìn)刻蝕后清洗的完整產(chǎn)品譜系。

　　公司快速熱處理設(shè)備(RTP)技術(shù)先進(jìn)，覆蓋常規(guī)與毫秒級(jí)兩大領(lǐng)域。公司核心產(chǎn)品采用晶圓雙面加熱、氬氣水壁電弧燈與閃光燈退火等核心技術(shù)，能夠有效控制先進(jìn)制程中的熱應(yīng)力和圖形保形性問(wèn)題。設(shè)備性能參數(shù)處于國(guó)際主流水平，在10nm及以下節(jié)點(diǎn)具有良好兼容性，已在DRAM、3DNAND等存儲(chǔ)產(chǎn)線(xiàn)及高性能邏輯芯片產(chǎn)線(xiàn)完成驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)規(guī)�；瘧�(yīng)用。

　　公司平臺(tái)化布局干法刻蝕和等離子體表面處理設(shè)備。公司干法刻蝕和等離子體表面處理產(chǎn)品覆蓋通用刻蝕、選擇性刻蝕及原子層級(jí)表面處理等多類(lèi)場(chǎng)景，產(chǎn)品具備優(yōu)異的等離子均勻性、刻蝕一致性與器件兼容性。設(shè)備已在晶圓制造前道工藝中實(shí)現(xiàn)規(guī)�；瘧�(yīng)用，成功進(jìn)入多家國(guó)內(nèi)外頭部客戶(hù)供應(yīng)鏈，具備強(qiáng)適配能力與國(guó)產(chǎn)替代潛力。

　　公司在持續(xù)推進(jìn)成熟產(chǎn)品改進(jìn)的同時(shí)，不斷開(kāi)展新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。公司擁有發(fā)明專(zhuān)利445項(xiàng)，核心技術(shù)包括雙晶圓真空反應(yīng)腔設(shè)計(jì)、遠(yuǎn)程等離子體源技術(shù)等，關(guān)鍵性能指標(biāo)如生產(chǎn)效率、良率控制達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)。2022年至2024年研發(fā)費(fèi)用占營(yíng)收比例均超過(guò)15%，持續(xù)投入構(gòu)筑技術(shù)壁壘。公司開(kāi)發(fā)基于真空晶圓傳送平臺(tái)技術(shù)的新一代超高產(chǎn)能去膠設(shè)備和刻蝕設(shè)備，預(yù)計(jì)新設(shè)備產(chǎn)能較成熟設(shè)備的產(chǎn)能提高一倍。公司正積極開(kāi)展對(duì)新一代快速熱退火尖峰退火設(shè)備以及自由基快速熱退火表面處理設(shè)備的研發(fā)，目前已處于在研階段。

　　東吳證券表示，在“半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代”趨勢(shì)下，公司憑借技術(shù)積累與平臺(tái)化布局，去膠設(shè)備和快速熱處理設(shè)備業(yè)務(wù)全行業(yè)領(lǐng)先，已成長(zhǎng)為全球前道設(shè)備領(lǐng)域具有代表性的中國(guó)企業(yè)。預(yù)計(jì)公司2025年至2027年歸母凈利潤(rùn)分別為6.52億元、8.52億元和12.20億元，同比增速分別為20.52%、30.67%和43.19%，對(duì)應(yīng)EPS分別為0.22元、0.29元和0.41元，首次覆蓋給予“增持”評(píng)級(jí)。 記者 劉希瑋

　　(風(fēng)險(xiǎn)提示：本欄目旨在介紹相關(guān)上市公司投資價(jià)值，不構(gòu)成投資建議。)